貼片振蕩器回流焊后的滯后效應(yīng)
來(lái)源:http://m.wyss.net.cn 作者:金洛鑫電子 2018年12月25
表面貼裝晶體振蕩器的種類(lèi)有OSC,TCXO,VCXO,VC-TCXO,VCXO等多種,除了普通的石英晶體振蕩器之外,各大制造商比較重視的是TCXO溫補(bǔ)晶振和OCXO恒溫晶振這兩種。貼片振蕩器和一般的晶體一樣,都要經(jīng)常高溫焊接之后才可以工作,焊接的方式主要有高溫回流焊接,波峰焊和手工焊三種,貼片晶振基本上都是采用高溫回流焊接。
在用戶(hù)的p-c板上進(jìn)行回流焊接后,表面貼裝晶體振蕩器顯示出高達(dá)幾ppm的正頻移,其衰減時(shí)間常數(shù)為幾天。數(shù)據(jù)表中通常不會(huì)描述或指定此效果。然而,對(duì)于用戶(hù)而言,這是非常重要和重要的,特別是對(duì)于具有嚴(yán)格溫度容差的振蕩器,例如TCXO和即將推出的SMTOCXO。
在現(xiàn)代設(shè)備生產(chǎn)線(xiàn)中,p-c板通常最終在焊接過(guò)程后的短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行調(diào)整和調(diào)整。如果電路板包含進(jìn)口晶體振蕩器,在大約一周后可以觀察到強(qiáng)烈的負(fù)頻移,振蕩器似乎已經(jīng)老化,但這是由于與回流焊接過(guò)程的熱應(yīng)力相關(guān)的滯后效應(yīng)。MIL-PRF-55310區(qū)分“熱滯后”和“回掃”。Retrace是f(T)特性(OCXO)的非重復(fù)性,在固定溫度下,在特定條件下開(kāi)關(guān)振蕩器,而滯后(TCXO)是非最大值溫度循環(huán)期間f與T特性的重復(fù)性。但是,不考慮這種影響的時(shí)間依賴(lài)性。J.Kusters和J.Vig在[1]中廣泛地回顧了熱滯現(xiàn)象學(xué)和理論。
如本文所定義的回流滯后是由單個(gè)(或多個(gè))溫度峰值引起的,并且該效應(yīng)被描述為在幾天的時(shí)間段內(nèi)的頻率偏移。紅外和對(duì)流回流焊接工藝的典型溫度曲線(xiàn)如圖1所示。
最高溫度應(yīng)力是在液相線(xiàn)時(shí)間內(nèi),在215℃或高于215℃時(shí)介于10秒和40秒之間??梢援a(chǎn)生它的機(jī)制被稱(chēng)為“電極中的應(yīng)力消除和諧振器外殼內(nèi)的污染物傳遞”
圖1:回流焊接工藝的典型溫度曲線(xiàn)
2.1石英晶體單元
使用13個(gè)不同的批次生產(chǎn)300個(gè)基本模式AT切割晶體,在32.768K,HC-49/U,坯料直徑8.0mm,其中不同的工藝參數(shù)變化。它們經(jīng)受了回流焊接溫度曲線(xiàn),如圖1所示。在焊接后4小時(shí),24小時(shí)和40天測(cè)量共振頻率。13個(gè)批次中每一個(gè)的每批頻率偏差的平均值如表1所示,并以圖形方式顯示在圖2中。該值是指40天后觀察到的頻率。
表1:回流焊接后32.768MHz晶體的頻率偏差
圖2:回流焊后32.768MHzAT基金晶體的頻率偏差一天后的平均回流滯后是4小時(shí)后觀察到的頻移的71%。一個(gè)值得注意的結(jié)果是,在批次A2,F(xiàn)1和F2中觀察到最低的回流滯后效應(yīng),其中晶體在密封之前經(jīng)歷延長(zhǎng)的烘烤程序。
2.2TCXO晶振38.88MHz
采用模擬間接補(bǔ)償技術(shù)的125個(gè)溫補(bǔ)晶振采用模擬回流焊接工藝,在HC-52外殼中采用基本模式38.88MHzAT切割晶體。在整個(gè)50天內(nèi)觀察輸出頻率。圖3顯示了回流滯后響應(yīng)的平均值和±1西格瑪極限。48小時(shí)后,平均頻率偏差為(1.1±0.22)ppm,并且頻率在約30天后穩(wěn)定。
圖3:回流焊接后38.88MHzTCXO晶振的頻率偏差2.3TCXO晶振19.44MHz
該實(shí)驗(yàn)顯示了重復(fù)回流焊接過(guò)程后的回流滯后。25件TCXO中使用的晶體是19,44MHzAT基波模式在HC-52/U超薄線(xiàn)。第一次回流焊接在第一次回流焊接后38天進(jìn)行,并在7天內(nèi)測(cè)量。
圖4顯示了回流滯后響應(yīng)的平均值和±1西格瑪極限。滯后效應(yīng)非常強(qiáng)烈:
1小時(shí)后(7,9±2.6)ppm
24小時(shí)后(5.4±1.7)ppm
并在1小時(shí)后在一天后衰減至初始值的69%。平均響應(yīng)擬合指數(shù)函數(shù),顯示為a圖中的虛線(xiàn)。4。
匹配很差,因?yàn)樗那什荒芨S陡峭的響應(yīng)。然而對(duì)數(shù)曲線(xiàn)擬合(見(jiàn)圖4中的虛線(xiàn))
匹配很差,因?yàn)樗那什荒芨S陡峭的響應(yīng)。然而是對(duì)數(shù)曲線(xiàn)擬合(見(jiàn)圖4中的虛線(xiàn))顯示出極佳的貼合度。具有(時(shí)間)-1的尺寸的等式(2)中的參數(shù)b可以被視為“反時(shí)間常數(shù)”。在這種情況下,1/b的值等于0.28天。
圖4:第二次回流焊接后的19.44MHzTCXO晶振的頻率偏差2.4TCXO晶振40,96MHz
在HC-52/U超薄線(xiàn)中使用40,96MHzAT基本晶體的六個(gè)晶振被回流焊接,并且在42天的觀察時(shí)間之后,重復(fù)回流焊接工藝。比較第一次和第二次處理的回流滯后。
第一次焊接后的滯后效應(yīng)如圖5所示。
第22天和第24天之間的不規(guī)則性顯然與由于環(huán)境溫度變化引起的測(cè)量不準(zhǔn)確性有關(guān)。所有6個(gè)振蕩器響應(yīng)的平均曲線(xiàn)通過(guò)如2.3節(jié)中所述的指數(shù)和對(duì)數(shù)函數(shù)擬合(參見(jiàn)圖5中的虛線(xiàn))。雖然指數(shù)衰減函數(shù)顯示太小的曲率,其不能跟隨滯后的初始階段的陡度,但對(duì)數(shù)曲線(xiàn)與實(shí)驗(yàn)值相當(dāng)平滑地匹配。
圖5:第一次回流焊接后40,96MHzTCXO晶振的頻率偏差在圖6中,描述了在30天的時(shí)間內(nèi)第一次焊接42天后第二次回流焊接引起的回流滯后。
圖6:第二次回流焊接后40,96MHzTCXO晶振的頻率偏差此處,平均值響應(yīng)是按照上述指數(shù)和對(duì)數(shù)函數(shù)曲線(xiàn)擬合的。同樣,指數(shù)函數(shù)表明擬合不充分,因?yàn)樗那侍?ldquo;平坦”,而對(duì)數(shù)函數(shù)非常好地描述了滯后響應(yīng)。
表2總結(jié)了兩種滯后特性的比較。
表2:40,96MHzTCXO晶振的第一和第二回流滯后的比較
第二溫度應(yīng)力對(duì)頻移的影響約為30%減少40%,而滯后衰減則減慢約兩倍與第一次壓力相比。2.5OCXO晶振26MHz,帶有AT三次諧波晶體OCXO通常具有比TCXO更高的熱質(zhì)量,因此具有更高的熱質(zhì)量在回流焊接期間,諧振器不會(huì)被加熱到這種程度。該模型這里測(cè)試的沒(méi)有像傳統(tǒng)OCXO晶振那樣的金屬加熱器塊,但使用的是直接加熱的陶瓷基板,振蕩器電路和HC-26/U晶體安裝。
在回流焊接之前,振蕩器已經(jīng)通電24小時(shí)穩(wěn)定?;亓骱负?,等待一小時(shí)冷卻后再進(jìn)行冷卻測(cè)量開(kāi)始了。每?jī)纱斡涗涱l率隨時(shí)間的變化分鐘。兩個(gè)周期的頻率變化如圖7所示。
圖7:回流前后OCXO晶振與26MHzAT3晶體的頻移焊接
乍一看似乎沒(méi)有滯后的跡象。但必須注意,回流焊后觀察到的頻移是疊加的常規(guī)的恒溫晶振預(yù)熱特性和滯后現(xiàn)象。如果我們假設(shè),那回流焊接后的預(yù)熱特性與之前大致相同,我們可以從測(cè)量的頻率中減去第一次預(yù)熱的響應(yīng)回流焊接后的響應(yīng)。然后我們得到回流的凈效應(yīng)滯后,如圖8所示??梢钥闯鰷笫秋@著的比TCXO觀察到的要小,這是因?yàn)镺CXO晶體是采用更長(zhǎng)時(shí)間的烘烤和預(yù)老化工藝制造,其次因?yàn)檎袷幤鲉卧臒豳|(zhì)量較高。
另一方面,這個(gè)實(shí)驗(yàn)證明,熱身特性和回流滯后完全相互補(bǔ)償,這導(dǎo)致了假設(shè)兩個(gè)過(guò)程都具有相同的物理起源。
圖8:減去后的OCXO與26MHzAT3晶體的凈回流滯后暖身
2.6OCXO晶振26MHz帶SC3泛音晶體該振蕩器還通過(guò)a使用晶體和石英晶體振蕩器電路的直接加熱然而,由于HC-37/U尺寸的晶體單元比陶瓷基板更笨重OCXO在第2.5節(jié)中描述。用相同的方法進(jìn)行實(shí)驗(yàn)如上所述,整體頻移如圖9所示。
圖9:回流前后OCXO與26MHzSC3晶體的頻移焊接
熱身行為沒(méi)有明顯差異,大于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中射頻噪聲引起的不規(guī)則性無(wú)意的關(guān)閉。因此,這些SC切割晶體的回流滯后是忽略不計(jì)。該OCXO中使用的晶體是用不同的工藝生產(chǎn)的比使用更高的烘烤溫度的AT削減26MHz。
3.回流滯后的原因結(jié)論
觀察到的回流滯后效應(yīng)顯示+2ppm的正頻移至+TCXO為8ppm,(AT-)OCXO為100ppb。這種頻率偏移在一到四周內(nèi)緩慢下降,可以由對(duì)數(shù)函數(shù)描述滯后效應(yīng)的潛在原因與回流焊接溫度有關(guān)壓力可以與幾種機(jī)制聯(lián)系起來(lái),正如約翰所總結(jié)的那樣。
Vig的教程[2]:
(1)由于熱膨脹系數(shù)差異引起的石英板應(yīng)力,夾子形成,焊接,密封,電極內(nèi)應(yīng)力引起的殘余應(yīng)力,粘接應(yīng)力,切削,研磨,拋光,應(yīng)力等表面損傷石英材料等。(2)由于污染,殘留水分導(dǎo)致的傳質(zhì),除氣,擴(kuò)散,化學(xué)反應(yīng)等,因?yàn)樗鼈兪抢匣牡湫吞卣鳈C(jī)制。
關(guān)于事實(shí)
·觀察到幾天到幾周的長(zhǎng)時(shí)間常數(shù),更可能與傳質(zhì)和擴(kuò)散過(guò)程等有關(guān)。比減輕壓力,
·密封石英晶體單元之前的延長(zhǎng)烘烤過(guò)程減少回流滯后,
·第二次回流焊接過(guò)程后的滯后小于后第一,
·對(duì)數(shù)函數(shù)描述這種滯后效應(yīng)比a更好指數(shù)衰減函數(shù),
·滯后具有相同的形狀,但與預(yù)熱相反
OCXO的特征:
我們有充分的理由假設(shè),觀察到的回流滯后效應(yīng)是主要涉及引起頻率老化的相同機(jī)制,即水分傳遞,擴(kuò)散等。雖然減少回流滯后的主要挑戰(zhàn)在于貼片晶振生產(chǎn)技術(shù),需要進(jìn)一步的工作來(lái)確定其貢獻(xiàn)各種其他效果,如石英材料中固有的那些,振蕩器的影響電路元件,如貼片電容器,電感器和熱敏電阻等。
貼片型的TCXO和OCXO目前已廣泛應(yīng)用到無(wú)線(xiàn)通信,對(duì)講機(jī),網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,工業(yè),航空航天,無(wú)線(xiàn)基站,人造衛(wèi)星,大型建筑設(shè)備,井下探測(cè),GPS/北斗定位系統(tǒng)等領(lǐng)域。
在現(xiàn)代設(shè)備生產(chǎn)線(xiàn)中,p-c板通常最終在焊接過(guò)程后的短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行調(diào)整和調(diào)整。如果電路板包含進(jìn)口晶體振蕩器,在大約一周后可以觀察到強(qiáng)烈的負(fù)頻移,振蕩器似乎已經(jīng)老化,但這是由于與回流焊接過(guò)程的熱應(yīng)力相關(guān)的滯后效應(yīng)。MIL-PRF-55310區(qū)分“熱滯后”和“回掃”。Retrace是f(T)特性(OCXO)的非重復(fù)性,在固定溫度下,在特定條件下開(kāi)關(guān)振蕩器,而滯后(TCXO)是非最大值溫度循環(huán)期間f與T特性的重復(fù)性。但是,不考慮這種影響的時(shí)間依賴(lài)性。J.Kusters和J.Vig在[1]中廣泛地回顧了熱滯現(xiàn)象學(xué)和理論。
如本文所定義的回流滯后是由單個(gè)(或多個(gè))溫度峰值引起的,并且該效應(yīng)被描述為在幾天的時(shí)間段內(nèi)的頻率偏移。紅外和對(duì)流回流焊接工藝的典型溫度曲線(xiàn)如圖1所示。
最高溫度應(yīng)力是在液相線(xiàn)時(shí)間內(nèi),在215℃或高于215℃時(shí)介于10秒和40秒之間??梢援a(chǎn)生它的機(jī)制被稱(chēng)為“電極中的應(yīng)力消除和諧振器外殼內(nèi)的污染物傳遞”
圖1:回流焊接工藝的典型溫度曲線(xiàn)
2.1石英晶體單元
使用13個(gè)不同的批次生產(chǎn)300個(gè)基本模式AT切割晶體,在32.768K,HC-49/U,坯料直徑8.0mm,其中不同的工藝參數(shù)變化。它們經(jīng)受了回流焊接溫度曲線(xiàn),如圖1所示。在焊接后4小時(shí),24小時(shí)和40天測(cè)量共振頻率。13個(gè)批次中每一個(gè)的每批頻率偏差的平均值如表1所示,并以圖形方式顯示在圖2中。該值是指40天后觀察到的頻率。
表1:回流焊接后32.768MHz晶體的頻率偏差
圖2:回流焊后32.768MHzAT基金晶體的頻率偏差一天后的平均回流滯后是4小時(shí)后觀察到的頻移的71%。一個(gè)值得注意的結(jié)果是,在批次A2,F(xiàn)1和F2中觀察到最低的回流滯后效應(yīng),其中晶體在密封之前經(jīng)歷延長(zhǎng)的烘烤程序。
2.2TCXO晶振38.88MHz
采用模擬間接補(bǔ)償技術(shù)的125個(gè)溫補(bǔ)晶振采用模擬回流焊接工藝,在HC-52外殼中采用基本模式38.88MHzAT切割晶體。在整個(gè)50天內(nèi)觀察輸出頻率。圖3顯示了回流滯后響應(yīng)的平均值和±1西格瑪極限。48小時(shí)后,平均頻率偏差為(1.1±0.22)ppm,并且頻率在約30天后穩(wěn)定。
圖3:回流焊接后38.88MHzTCXO晶振的頻率偏差2.3TCXO晶振19.44MHz
該實(shí)驗(yàn)顯示了重復(fù)回流焊接過(guò)程后的回流滯后。25件TCXO中使用的晶體是19,44MHzAT基波模式在HC-52/U超薄線(xiàn)。第一次回流焊接在第一次回流焊接后38天進(jìn)行,并在7天內(nèi)測(cè)量。
圖4顯示了回流滯后響應(yīng)的平均值和±1西格瑪極限。滯后效應(yīng)非常強(qiáng)烈:
1小時(shí)后(7,9±2.6)ppm
24小時(shí)后(5.4±1.7)ppm
并在1小時(shí)后在一天后衰減至初始值的69%。平均響應(yīng)擬合指數(shù)函數(shù),顯示為a圖中的虛線(xiàn)。4。
匹配很差,因?yàn)樗那什荒芨S陡峭的響應(yīng)。然而對(duì)數(shù)曲線(xiàn)擬合(見(jiàn)圖4中的虛線(xiàn))
匹配很差,因?yàn)樗那什荒芨S陡峭的響應(yīng)。然而是對(duì)數(shù)曲線(xiàn)擬合(見(jiàn)圖4中的虛線(xiàn))顯示出極佳的貼合度。具有(時(shí)間)-1的尺寸的等式(2)中的參數(shù)b可以被視為“反時(shí)間常數(shù)”。在這種情況下,1/b的值等于0.28天。
圖4:第二次回流焊接后的19.44MHzTCXO晶振的頻率偏差2.4TCXO晶振40,96MHz
在HC-52/U超薄線(xiàn)中使用40,96MHzAT基本晶體的六個(gè)晶振被回流焊接,并且在42天的觀察時(shí)間之后,重復(fù)回流焊接工藝。比較第一次和第二次處理的回流滯后。
第一次焊接后的滯后效應(yīng)如圖5所示。
第22天和第24天之間的不規(guī)則性顯然與由于環(huán)境溫度變化引起的測(cè)量不準(zhǔn)確性有關(guān)。所有6個(gè)振蕩器響應(yīng)的平均曲線(xiàn)通過(guò)如2.3節(jié)中所述的指數(shù)和對(duì)數(shù)函數(shù)擬合(參見(jiàn)圖5中的虛線(xiàn))。雖然指數(shù)衰減函數(shù)顯示太小的曲率,其不能跟隨滯后的初始階段的陡度,但對(duì)數(shù)曲線(xiàn)與實(shí)驗(yàn)值相當(dāng)平滑地匹配。
圖5:第一次回流焊接后40,96MHzTCXO晶振的頻率偏差在圖6中,描述了在30天的時(shí)間內(nèi)第一次焊接42天后第二次回流焊接引起的回流滯后。
圖6:第二次回流焊接后40,96MHzTCXO晶振的頻率偏差此處,平均值響應(yīng)是按照上述指數(shù)和對(duì)數(shù)函數(shù)曲線(xiàn)擬合的。同樣,指數(shù)函數(shù)表明擬合不充分,因?yàn)樗那侍?ldquo;平坦”,而對(duì)數(shù)函數(shù)非常好地描述了滯后響應(yīng)。
表2總結(jié)了兩種滯后特性的比較。
表2:40,96MHzTCXO晶振的第一和第二回流滯后的比較
第二溫度應(yīng)力對(duì)頻移的影響約為30%減少40%,而滯后衰減則減慢約兩倍與第一次壓力相比。2.5OCXO晶振26MHz,帶有AT三次諧波晶體OCXO通常具有比TCXO更高的熱質(zhì)量,因此具有更高的熱質(zhì)量在回流焊接期間,諧振器不會(huì)被加熱到這種程度。該模型這里測(cè)試的沒(méi)有像傳統(tǒng)OCXO晶振那樣的金屬加熱器塊,但使用的是直接加熱的陶瓷基板,振蕩器電路和HC-26/U晶體安裝。
在回流焊接之前,振蕩器已經(jīng)通電24小時(shí)穩(wěn)定?;亓骱负?,等待一小時(shí)冷卻后再進(jìn)行冷卻測(cè)量開(kāi)始了。每?jī)纱斡涗涱l率隨時(shí)間的變化分鐘。兩個(gè)周期的頻率變化如圖7所示。
圖7:回流前后OCXO晶振與26MHzAT3晶體的頻移焊接
乍一看似乎沒(méi)有滯后的跡象。但必須注意,回流焊后觀察到的頻移是疊加的常規(guī)的恒溫晶振預(yù)熱特性和滯后現(xiàn)象。如果我們假設(shè),那回流焊接后的預(yù)熱特性與之前大致相同,我們可以從測(cè)量的頻率中減去第一次預(yù)熱的響應(yīng)回流焊接后的響應(yīng)。然后我們得到回流的凈效應(yīng)滯后,如圖8所示??梢钥闯鰷笫秋@著的比TCXO觀察到的要小,這是因?yàn)镺CXO晶體是采用更長(zhǎng)時(shí)間的烘烤和預(yù)老化工藝制造,其次因?yàn)檎袷幤鲉卧臒豳|(zhì)量較高。
另一方面,這個(gè)實(shí)驗(yàn)證明,熱身特性和回流滯后完全相互補(bǔ)償,這導(dǎo)致了假設(shè)兩個(gè)過(guò)程都具有相同的物理起源。
圖8:減去后的OCXO與26MHzAT3晶體的凈回流滯后暖身
2.6OCXO晶振26MHz帶SC3泛音晶體該振蕩器還通過(guò)a使用晶體和石英晶體振蕩器電路的直接加熱然而,由于HC-37/U尺寸的晶體單元比陶瓷基板更笨重OCXO在第2.5節(jié)中描述。用相同的方法進(jìn)行實(shí)驗(yàn)如上所述,整體頻移如圖9所示。
圖9:回流前后OCXO與26MHzSC3晶體的頻移焊接
熱身行為沒(méi)有明顯差異,大于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中射頻噪聲引起的不規(guī)則性無(wú)意的關(guān)閉。因此,這些SC切割晶體的回流滯后是忽略不計(jì)。該OCXO中使用的晶體是用不同的工藝生產(chǎn)的比使用更高的烘烤溫度的AT削減26MHz。
3.回流滯后的原因結(jié)論
觀察到的回流滯后效應(yīng)顯示+2ppm的正頻移至+TCXO為8ppm,(AT-)OCXO為100ppb。這種頻率偏移在一到四周內(nèi)緩慢下降,可以由對(duì)數(shù)函數(shù)描述滯后效應(yīng)的潛在原因與回流焊接溫度有關(guān)壓力可以與幾種機(jī)制聯(lián)系起來(lái),正如約翰所總結(jié)的那樣。
Vig的教程[2]:
(1)由于熱膨脹系數(shù)差異引起的石英板應(yīng)力,夾子形成,焊接,密封,電極內(nèi)應(yīng)力引起的殘余應(yīng)力,粘接應(yīng)力,切削,研磨,拋光,應(yīng)力等表面損傷石英材料等。(2)由于污染,殘留水分導(dǎo)致的傳質(zhì),除氣,擴(kuò)散,化學(xué)反應(yīng)等,因?yàn)樗鼈兪抢匣牡湫吞卣鳈C(jī)制。
關(guān)于事實(shí)
·觀察到幾天到幾周的長(zhǎng)時(shí)間常數(shù),更可能與傳質(zhì)和擴(kuò)散過(guò)程等有關(guān)。比減輕壓力,
·密封石英晶體單元之前的延長(zhǎng)烘烤過(guò)程減少回流滯后,
·第二次回流焊接過(guò)程后的滯后小于后第一,
·對(duì)數(shù)函數(shù)描述這種滯后效應(yīng)比a更好指數(shù)衰減函數(shù),
·滯后具有相同的形狀,但與預(yù)熱相反
OCXO的特征:
我們有充分的理由假設(shè),觀察到的回流滯后效應(yīng)是主要涉及引起頻率老化的相同機(jī)制,即水分傳遞,擴(kuò)散等。雖然減少回流滯后的主要挑戰(zhàn)在于貼片晶振生產(chǎn)技術(shù),需要進(jìn)一步的工作來(lái)確定其貢獻(xiàn)各種其他效果,如石英材料中固有的那些,振蕩器的影響電路元件,如貼片電容器,電感器和熱敏電阻等。
貼片型的TCXO和OCXO目前已廣泛應(yīng)用到無(wú)線(xiàn)通信,對(duì)講機(jī),網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,工業(yè),航空航天,無(wú)線(xiàn)基站,人造衛(wèi)星,大型建筑設(shè)備,井下探測(cè),GPS/北斗定位系統(tǒng)等領(lǐng)域。
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
相關(guān)資訊
- [2024-03-12]FCD-Tech新品FBT0503微型高穩(wěn)定...
- [2024-03-12]FCD-Tech頻率控制元器件產(chǎn)品F25...
- [2024-03-11]QVS石英晶體數(shù)據(jù)手冊(cè)QPM2-21AF1...
- [2024-03-11]QVS新產(chǎn)品Q(chēng)CT95-CU3S-26.000發(fā)布...
- [2024-03-08]IQD幾皮法會(huì)破壞你的計(jì)時(shí)準(zhǔn)確性...
- [2024-03-05]GEYER頻率控制元器件產(chǎn)品
- [2024-03-04]Jauch推出JTSxxHC系列可滿(mǎn)足Str...
- [2024-03-02]NEL超低相位噪聲O-CS8系列O-CS8...