改進的TCXO OSCillator技術(shù)可用于小型電池
來源:http://m.wyss.net.cn 作者:金洛鑫電子 2019年05月16
相比前10年或更早之前,TCXO晶振的制造技術(shù)和生產(chǎn)工藝,已經(jīng)有了很大的進步和改變,尤其是在尺寸方面,縮小了好幾倍。目前最小體積的溫補晶振是1.6*1.2mm的,基本上可以應(yīng)用到任何一種小型設(shè)備上,可以說幾乎不占任何空間。用于TCXO OSCillator身上的金屬封裝技術(shù),也越來越先進。
TCXO技術(shù)已在手機和GPS應(yīng)用中使用多年,TCXO是溫度補償晶體振蕩器,具有用于施加到電壓控制引腳的溫度變化的校正電壓。在本申請中所使用的IC具有一個溫度傳感器和一個5個產(chǎn)生施加到振蕩器的校正電壓階補償網(wǎng)絡(luò)。
TCXO技術(shù)已經(jīng)取得了顯著的進步,提供了時鐘解決方案,曾經(jīng)是烤箱補償(有時稱為恒溫)晶體振蕩器(OCXO)的獨家產(chǎn)品。OCXO晶振中使用的技術(shù)在晶體周圍構(gòu)建了一個加熱器,因此該器件可以在一個高溫下穩(wěn)定,不會暴露在環(huán)境中的溫度變化中。根據(jù)美國國家標準協(xié)會(ANSI)標題為數(shù)字網(wǎng)絡(luò)的同步接口標準(ANSI/T1.101-1987),Stratum3振蕩器在-40℃至85℃下需要±0.28ppm。有一段時間,這只能使用OCXO技術(shù)提供?,F(xiàn)在,TCXO技術(shù)是用于支持Stratum3要求的標準技術(shù)。
在有限的溫度范圍內(nèi),TCXO OSCillator已經(jīng)比Stratum3更加穩(wěn)定。目前同類最佳的TCXO技術(shù)在0°C至70°C的溫度范圍內(nèi)具有±50ppb的頻率溫度穩(wěn)定性。TCXO補償效果的限制因素是晶體曲線的純度以及用于補償器件的IC的階數(shù)和步進分辨率。表1顯示了TCXO和OCXO技術(shù)之間的比較。TCXO與OCXO技術(shù)相比,兩個最顯著的優(yōu)勢是功耗更低,穩(wěn)定時間更快。TCXO晶振通常需要OCXO所需電流的約1%,并且穩(wěn)定性以秒或分數(shù)秒來測量。
表1還示出了OeM8產(chǎn)品與標準TCXO和OCXO技術(shù)的快速比較。OeM8是Pletronics的OeM系列頻率控制設(shè)備的擴展,是一種改進的TCXO,可將±50ppb的穩(wěn)定性擴展到-40°C至85°C的工作溫度范圍。與典型的TCXO相比,OeM8消耗的電流大約為20mA,但電流消耗是一致的,并且不會像傳統(tǒng)的OCXO有源晶振那樣隨溫度變化。該產(chǎn)品將±50ppb的穩(wěn)定性擴展到工業(yè)溫度范圍,具有TCXO技術(shù)的低電流和快速穩(wěn)定時間特性。
典型的頻率與溫度特性如圖2所示。1個用于三個典型設(shè)備;頻率/溫度數(shù)據(jù)的步長為1°C。設(shè)備的Allan方差和相位噪聲如圖2所示。
小型蜂窩回程需要精確的時序參考,以實現(xiàn)同步和定位目的。特別是,多層結(jié)構(gòu)內(nèi)的三維定位需要超精確的定時參考。OeM8與滿足此要求的OCXO類似。OeM8還具有更快的頻率穩(wěn)定性和更低功耗的優(yōu)勢。當在需要電池供電的電源的遠程位置使用時,此性能有助于延長電池壽命。雖然在這種小型電池回程應(yīng)用中OeM8應(yīng)被視為標準溫度補償晶體,但還有另一種產(chǎn)品OeM4也可用于小型電池應(yīng)用。OeM4具有顯著的價格優(yōu)勢,其性能與OeM8類似,但在較窄的溫度范圍內(nèi)提供±50ppb的穩(wěn)定性:0℃至70℃。
微小型化生產(chǎn)的TCXO OSCillator的用處很大,成為除了OSC晶振之外,最受歡迎的振蕩器,在技術(shù)提升的同時也降低了成本,這也是為什么用戶熱衷于使用溫補晶振的原因之一。深圳市金洛鑫電子專門供應(yīng)海內(nèi)外幾十家不同品牌的溫補振蕩器,保證原裝正品,正規(guī)渠道訂購,咨詢熱線:0755-27837162.
TCXO技術(shù)已在手機和GPS應(yīng)用中使用多年,TCXO是溫度補償晶體振蕩器,具有用于施加到電壓控制引腳的溫度變化的校正電壓。在本申請中所使用的IC具有一個溫度傳感器和一個5個產(chǎn)生施加到振蕩器的校正電壓階補償網(wǎng)絡(luò)。
TCXO技術(shù)已經(jīng)取得了顯著的進步,提供了時鐘解決方案,曾經(jīng)是烤箱補償(有時稱為恒溫)晶體振蕩器(OCXO)的獨家產(chǎn)品。OCXO晶振中使用的技術(shù)在晶體周圍構(gòu)建了一個加熱器,因此該器件可以在一個高溫下穩(wěn)定,不會暴露在環(huán)境中的溫度變化中。根據(jù)美國國家標準協(xié)會(ANSI)標題為數(shù)字網(wǎng)絡(luò)的同步接口標準(ANSI/T1.101-1987),Stratum3振蕩器在-40℃至85℃下需要±0.28ppm。有一段時間,這只能使用OCXO技術(shù)提供?,F(xiàn)在,TCXO技術(shù)是用于支持Stratum3要求的標準技術(shù)。
在有限的溫度范圍內(nèi),TCXO OSCillator已經(jīng)比Stratum3更加穩(wěn)定。目前同類最佳的TCXO技術(shù)在0°C至70°C的溫度范圍內(nèi)具有±50ppb的頻率溫度穩(wěn)定性。TCXO補償效果的限制因素是晶體曲線的純度以及用于補償器件的IC的階數(shù)和步進分辨率。表1顯示了TCXO和OCXO技術(shù)之間的比較。TCXO與OCXO技術(shù)相比,兩個最顯著的優(yōu)勢是功耗更低,穩(wěn)定時間更快。TCXO晶振通常需要OCXO所需電流的約1%,并且穩(wěn)定性以秒或分數(shù)秒來測量。
表1.與某些晶體振蕩器規(guī)范的比較
現(xiàn)有技術(shù):表1還示出了OeM8產(chǎn)品與標準TCXO和OCXO技術(shù)的快速比較。OeM8是Pletronics的OeM系列頻率控制設(shè)備的擴展,是一種改進的TCXO,可將±50ppb的穩(wěn)定性擴展到-40°C至85°C的工作溫度范圍。與典型的TCXO相比,OeM8消耗的電流大約為20mA,但電流消耗是一致的,并且不會像傳統(tǒng)的OCXO有源晶振那樣隨溫度變化。該產(chǎn)品將±50ppb的穩(wěn)定性擴展到工業(yè)溫度范圍,具有TCXO技術(shù)的低電流和快速穩(wěn)定時間特性。
典型的頻率與溫度特性如圖2所示。1個用于三個典型設(shè)備;頻率/溫度數(shù)據(jù)的步長為1°C。設(shè)備的Allan方差和相位噪聲如圖2所示。
圖1:三種典型OeM8器件的頻率與溫度性能
圖2:OeM8器件的Allen方差性能
圖3:OeM8設(shè)備的相位噪聲
小型蜂窩回程應(yīng)用:小型蜂窩回程需要精確的時序參考,以實現(xiàn)同步和定位目的。特別是,多層結(jié)構(gòu)內(nèi)的三維定位需要超精確的定時參考。OeM8與滿足此要求的OCXO類似。OeM8還具有更快的頻率穩(wěn)定性和更低功耗的優(yōu)勢。當在需要電池供電的電源的遠程位置使用時,此性能有助于延長電池壽命。雖然在這種小型電池回程應(yīng)用中OeM8應(yīng)被視為標準溫度補償晶體,但還有另一種產(chǎn)品OeM4也可用于小型電池應(yīng)用。OeM4具有顯著的價格優(yōu)勢,其性能與OeM8類似,但在較窄的溫度范圍內(nèi)提供±50ppb的穩(wěn)定性:0℃至70℃。
微小型化生產(chǎn)的TCXO OSCillator的用處很大,成為除了OSC晶振之外,最受歡迎的振蕩器,在技術(shù)提升的同時也降低了成本,這也是為什么用戶熱衷于使用溫補晶振的原因之一。深圳市金洛鑫電子專門供應(yīng)海內(nèi)外幾十家不同品牌的溫補振蕩器,保證原裝正品,正規(guī)渠道訂購,咨詢熱線:0755-27837162.
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